N-CHANNEL 30V The STB36NF03LT4 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 36A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 144A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 55W (at T_C = 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 9.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 18A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (Min), 2.5V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (at V_DS = 15V, I_D = 18A, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
The STB36NF03LT4 is a low-voltage, N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 36A continuous current.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from STMicroelectronics' official datasheet for the STB36NF03LT4.