N-CHANNEL 150V The STB30NS15 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STB30NS15 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (30A continuous, 120A pulsed).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **TO-263 (D2PAK) package** for better thermal performance.  
- **100% avalanche tested** for robustness in harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.