N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER II MOSFET The STB30NF10 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  

### **Description:**  
The STB30NF10 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of STMicroelectronics' STripFET™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **100% Avalanche Tested:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.