N The STB30NE06L is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)**  

### **Description:**  
The STB30NE06L is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.