N-CHANNEL 30V The STB3015L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 12mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 15mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-on Delay Time (t_d(on)): 12ns (typical)  
  - Rise Time (t_r): 30ns (typical)  
  - Turn-off Delay Time (t_d(off)): 40ns (typical)  
  - Fall Time (t_f): 20ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Improved avalanche ruggedness.  
- Suitable for high-efficiency power conversion applications.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Switching power supplies  
- Automotive systems  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STB3015L. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.