N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET The STB25NM60N-1 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 320pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)**  

### **Description:**  
The STB25NM60N-1 is a N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.