4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs # Introducing the RFP4N100: A High-Performance Power MOSFET for Demanding Applications  

The **RFP4N100** is a robust N-channel power MOSFET designed to meet the needs of high-voltage, high-efficiency power conversion systems. With a drain-source voltage (V_DSS) rating of **1000V** and a continuous drain current (I_D) of **4A**, this component is well-suited for applications requiring reliable switching performance under demanding conditions.  

Engineers will appreciate the **low on-resistance (R_DS(on))** of just **4.5Ω**, which minimizes conduction losses and enhances overall system efficiency. The **fast switching speed** of the RFP4N100 ensures reduced switching losses, making it an excellent choice for switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and motor control circuits.  

Built with durability in mind, the RFP4N100 features a **TO-220 package**, providing excellent thermal performance and mechanical stability. Its **avalanche energy rating** ensures reliable operation in high-stress environments, while the **low gate charge (Q_g)** simplifies drive circuit design, reducing complexity in high-frequency applications.  

Whether used in industrial power supplies, renewable energy systems, or automotive electronics, the RFP4N100 delivers consistent performance, efficiency, and longevity. Its combination of high-voltage capability, low power dissipation, and rugged construction makes it a dependable choice for engineers seeking a high-performance MOSFET solution.  

For designers looking to optimize power management in high-voltage circuits, the **RFP4N100** stands out as a reliable and efficient component that meets the challenges of modern power electronics.