2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET **Enhance Your Designs with the High-Performance RFP2N20L MOSFET**  

In today’s fast-evolving electronics landscape, efficiency and reliability are paramount. The **RFP2N20L** MOSFET stands out as a robust solution for power management applications, delivering exceptional performance in switching and amplification circuits.  

Designed for high-voltage operations, the **RFP2N20L** offers a **200V drain-source voltage (V_DS)** rating, making it ideal for demanding industrial and automotive applications. With a **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, this component minimizes power losses while maximizing efficiency, ensuring optimal performance in power supplies, motor drives, and inverters.  

Engineers will appreciate its **TO-220 package**, which provides excellent thermal dissipation and mechanical durability. The **RFP2N20L** is also designed for ease of integration, supporting both through-hole and surface-mount assembly processes.  

Whether you're developing energy-efficient systems or high-power switching solutions, the **RFP2N20L** delivers the reliability and performance needed to meet stringent design requirements. Its robust construction and high current-handling capability make it a trusted choice for professionals seeking a dependable power MOSFET.  

For engineers focused on efficiency, durability, and precision, the **RFP2N20L** is a compelling addition to any high-performance circuit design.

2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET **Introducing the RFP2N20L: A High-Performance Power MOSFET for Demanding Applications**  

The RFP2N20L is a robust N-channel power MOSFET designed to deliver efficient switching and reliable performance in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 2A, this component is well-suited for power management, motor control, and switching circuits where high voltage and low on-resistance are critical.  

Engineered for efficiency, the RFP2N20L features a low gate charge and fast switching speeds, minimizing power losses in high-frequency applications. Its low on-resistance (R_DS(on)) ensures reduced heat dissipation, enhancing overall system reliability. The MOSFET’s TO-220 package provides excellent thermal performance, making it ideal for designs requiring effective heat management.  

Key features of the RFP2N20L include:  
- **High Voltage Capability** – Supports up to 200V, making it suitable for industrial and automotive applications.  
- **Low On-Resistance** – Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** – Optimized for high-frequency operation.  
- **Robust Thermal Design** – TO-220 package ensures effective heat dissipation.  

Whether used in power supplies, inverters, or load-switching circuits, the RFP2N20L offers a dependable solution for engineers seeking a balance of performance and durability. Its combination of high voltage tolerance, low power dissipation, and compact form factor makes it a versatile choice for modern electronic designs.  

For applications demanding efficiency and reliability, the RFP2N20L stands out as a high-performance MOSFET that meets the challenges of today’s power electronics landscape.

2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET **Enhance Your Designs with the High-Performance RFP2N20L MOSFET**  

In the realm of power electronics, efficiency and reliability are paramount. The **RFP2N20L** MOSFET stands out as a robust solution for applications demanding high switching speeds and low power dissipation. Designed for optimal performance, this N-channel enhancement-mode power MOSFET is an excellent choice for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a **200V drain-source voltage (V_DSS)** and **2A continuous drain current (I_D)**, the RFP2N20L delivers dependable operation in medium-power circuits. Its low **on-resistance (R_DS(on))** ensures minimal conduction losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the fast switching characteristics reduce transition losses, making it ideal for high-frequency applications.  

The device features a **TO-220 package**, providing excellent thermal performance and ease of mounting. This rugged construction ensures durability in demanding environments while maintaining efficient heat dissipation. Engineers will appreciate its compatibility with standard PCB layouts, simplifying integration into existing designs.  

For applications requiring precise control, the RFP2N20L offers a **low gate charge (Q_g)**, enabling faster switching with reduced drive power. Its **avalanche energy rating** further enhances reliability in transient voltage conditions, ensuring stable operation under varying loads.  

Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or consumer electronics, the RFP2N20L MOSFET delivers consistent performance, making it a trusted component for engineers seeking efficiency and durability. By incorporating this high-performance MOSFET into your designs, you can achieve greater power efficiency and system longevity.  

For detailed specifications and application guidance, consult the datasheet to ensure optimal implementation in your next project.