12A/ 80V and 100V/ 0.200 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs # **RFP12N08: High-Performance N-Channel MOSFET for Robust Power Applications**  

The **RFP12N08** is a high-efficiency N-channel MOSFET designed to deliver reliable performance in power switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of **80V** and a continuous drain current (I_D) of **12A**, this component is well-suited for demanding environments, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

Engineered for low on-resistance (R_DS(on)), the RFP12N08 minimizes power loss, enhancing thermal management and overall system efficiency. Its fast switching capability ensures smooth operation in high-frequency circuits, making it an excellent choice for modern electronic designs.  

Key features of the RFP12N08 include:  
- **Low Gate Charge (Q_g)** – Reduces drive requirements and improves switching speed.  
- **Avalanche Energy Rated** – Enhances durability in rugged applications.  
- **TO-220 Package** – Provides excellent heat dissipation and mechanical stability.  

Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, the RFP12N08 offers a dependable solution for power management challenges. Its robust construction and high-performance characteristics make it a preferred choice for engineers seeking efficiency and reliability.  

For applications requiring a balance of power handling, thermal performance, and switching speed, the RFP12N08 stands out as a versatile and high-quality MOSFET solution.

12A/ 80V and 100V/ 0.200 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs **Enhance Your Designs with the High-Performance RFP12N08 MOSFET**  

The RFP12N08 is a robust N-channel power MOSFET designed to deliver exceptional efficiency and reliability in a wide range of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 80V and a continuous drain current (I_D) of 12A, this component is well-suited for power management, motor control, and switching circuits where high performance is critical.  

Engineers will appreciate the low on-resistance (R_DS(on)) of just 0.12Ω, which minimizes power loss and improves thermal performance. This makes the RFP12N08 an excellent choice for energy-efficient designs, reducing heat dissipation and enhancing overall system longevity. Additionally, its fast switching characteristics ensure optimal performance in high-frequency applications.  

The MOSFET’s TO-220 package provides excellent thermal conductivity, allowing for effective heat sinking in demanding environments. Its rugged construction ensures durability, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications where reliability is paramount.  

Whether used in DC-DC converters, power supplies, or load switching circuits, the RFP12N08 offers a balance of power handling, efficiency, and compact form factor. Its versatility and dependable performance make it a preferred choice for engineers looking to optimize their designs without compromising on quality.  

For those seeking a high-performance MOSFET that combines power efficiency with robust construction, the RFP12N08 stands out as a reliable solution for modern electronic systems.