The RFN20T2D is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding RF and power-switching applications. Engineered to deliver superior efficiency and reliability, this component is an excellent choice for engineers working in telecommunications, industrial systems, and high-frequency power conversion.  

With a robust 200V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 20A, the RFN20T2D ensures stable operation under high-power conditions. Its low on-resistance (RDS(on)) minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Additionally, the fast switching capabilities reduce transition losses, making it ideal for high-frequency designs.  

The MOSFET features a compact TO-252 (DPAK) package, offering excellent thermal performance while maintaining a small footprint. This makes it suitable for space-constrained applications without compromising power handling. The device also incorporates advanced silicon technology, ensuring low gate charge and high avalanche energy tolerance for enhanced durability in harsh environments.  

Whether used in RF amplifiers, DC-DC converters, or motor control circuits, the RFN20T2D provides consistent performance with minimal power dissipation. Its optimized design supports high-speed switching, reducing electromagnetic interference (EMI) and improving signal integrity.  

For engineers seeking a reliable, high-efficiency MOSFET for RF and power applications, the RFN20T2D stands out as a dependable solution. Its combination of high voltage tolerance, low resistance, and thermal efficiency makes it a valuable component in modern electronic designs.  

By integrating the RFN20T2D into your circuitry, you can achieve greater power efficiency, reduced heat generation, and extended operational lifespan—key factors in optimizing performance across a wide range of applications.