16A/ 60V/ 0.047 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFETs # **RFD16N06LESM: A High-Performance Power MOSFET for Demanding Applications**  

The RFD16N06LESM is a robust N-channel power MOSFET designed to deliver high efficiency and reliability in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 16A, this component is well-suited for power management, motor control, and switching circuits where performance and durability are critical.  

Built using advanced MOSFET technology, the RFD16N06LESM offers low on-resistance (RDS(on)) of just 0.042Ω (max), ensuring minimal power loss and improved thermal efficiency. This makes it an excellent choice for high-current applications where energy conservation and heat dissipation are key concerns.  

The device features a compact TO-252 (DPAK) package, providing a balance between power handling and board space optimization. Its fast switching characteristics further enhance its suitability for high-frequency applications, including DC-DC converters and PWM-driven systems.  

Engineers and designers will appreciate the RFD16N06LESM’s rugged construction, which includes built-in protection against overcurrent and thermal stress. Its high avalanche energy rating ensures reliable operation even under transient voltage conditions, making it a dependable component for industrial and automotive applications.  

Whether used in power supplies, motor drivers, or load switches, the RFD16N06LESM stands out as a high-performance solution that combines efficiency, durability, and ease of integration. Its combination of low RDS(on), high current capability, and robust packaging makes it a preferred choice for engineers seeking a reliable power MOSFET for demanding environments.  

For those in need of a high-quality, cost-effective power switching solution, the RFD16N06LESM delivers the performance and reliability required for modern electronic designs.