RFD16N05SM9AManufacturer: 哈里斯 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power, MOSFETs | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
RFD16N05SM9A | 哈里斯 | 10380 | In Stock |
Description and Introduction
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power, MOSFETs **Enhance Your Designs with the RFD16N05SM9A MOSFET**  
The RFD16N05SM9A is a high-performance N-channel MOSFET designed to deliver efficient power management in a wide range of electronic applications. With a robust 16A current rating and a low on-resistance (RDS(on)) of 0.055Ω, this component ensures minimal power loss, making it an ideal choice for power switching, motor control, and DC-DC conversion circuits.   Engineered for reliability, the RFD16N05SM9A operates at a drain-source voltage (VDS) of 50V, providing ample headroom for various low to medium voltage applications. Its fast switching capabilities and low gate charge contribute to improved efficiency, reducing heat generation and enhancing overall system performance.   The MOSFET features a compact TO-252 (DPAK) package, offering excellent thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs. This makes it suitable for space-constrained designs without compromising power handling. Additionally, its rugged construction ensures durability in demanding environments, making it a dependable solution for industrial, automotive, and consumer electronics.   Whether used in power supplies, LED drivers, or battery management systems, the RFD16N05SM9A combines high efficiency with reliable operation, helping engineers optimize their designs for better performance and longevity.   For applications requiring a balance of power handling, efficiency, and compactness, the RFD16N05SM9A stands out as a versatile and high-quality MOSFET solution. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
RFD16N05SM9A | FAI | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power, MOSFETs **Enhance Your Designs with the RFD16N05SM9A MOSFET**  
The **RFD16N05SM9A** is a high-performance N-channel MOSFET designed to deliver efficient power management in a wide range of electronic applications. With its robust construction and advanced semiconductor technology, this component is an excellent choice for engineers seeking reliability and precision in their designs.   Featuring a **60V drain-source voltage (VDS)** and a **continuous drain current (ID) of 16A**, the RFD16N05SM9A provides strong performance in power switching and amplification circuits. Its low **on-resistance (RDS(on)) of 0.055Ω** ensures minimal power loss, enhancing energy efficiency in high-current applications.   The MOSFET’s **TO-252 (DPAK) package** offers a compact footprint while maintaining excellent thermal dissipation, making it suitable for space-constrained designs. Its fast switching capabilities further optimize performance in DC-DC converters, motor control systems, and power supply modules.   Engineers will appreciate the **RFD16N05SM9A’s ruggedness and durability**, supported by its high avalanche energy rating and strong gate charge characteristics. These features make it a dependable solution for demanding environments, including automotive, industrial, and consumer electronics.   Whether used in battery management, load switching, or voltage regulation, the **RFD16N05SM9A** stands out as a versatile and efficient MOSFET. Its combination of high current handling, low resistance, and thermal stability ensures consistent performance in diverse circuit designs.   For engineers prioritizing efficiency, reliability, and compact integration, the **RFD16N05SM9A** is a compelling choice that meets the demands of modern power electronics. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips