RFD14N05LSMManufacturer: FAIRCHILD 14A/ 50V/ 0.100 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFETs | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
RFD14N05LSM | FAIRCHILD | 125 | In Stock |
Description and Introduction
14A/ 50V/ 0.100 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFETs # Enhance Your Circuit Designs with the RFD14N05LSM MOSFET  
When it comes to power management and switching applications, efficiency and reliability are paramount. The RFD14N05LSM N-channel MOSFET is a high-performance electronic component designed to meet these demands, offering robust performance in a compact package.   ## Key Features   - **Low On-Resistance (RDS(on))**: With an exceptionally low on-resistance of just 14mΩ, the RFD14N05LSM minimizes power loss, improving energy efficiency in high-current applications.   ## Applications   The RFD14N05LSM is versatile, making it an excellent choice for a wide range of applications, including:   ## Why Choose the RFD14N05LSM?   Engineers and designers seeking a reliable, high-efficiency MOSFET will appreciate the RFD14N05LSM’s combination of low resistance, high current capacity, and fast switching characteristics. Its robust design ensures consistent performance even in demanding environments, making it a dependable component for modern electronic systems.   For those looking to optimize power efficiency and enhance circuit reliability, the RFD14N05LSM stands out as a superior choice in power MOSFET technology. |
|||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
RFD14N05LSM | HARRIS | 1903 | In Stock |
Description and Introduction
14A/ 50V/ 0.100 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFETs # **RFD14N05LSM: A High-Performance N-Channel MOSFET for Efficient Power Management**  
The RFD14N05LSM is a robust N-channel MOSFET designed to deliver high efficiency and reliability in power management applications. With a drain-source voltage (VDSS) rating of 50V and a continuous drain current (ID) of 14A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in various electronic systems.   Engineered for low on-resistance (RDS(on)), the RFD14N05LSM minimizes power losses, making it an excellent choice for energy-sensitive applications such as DC-DC converters, motor control circuits, and power supplies. Its fast switching characteristics enhance performance in high-frequency operations, ensuring smooth and efficient power delivery.   The MOSFET features a compact TO-252 (DPAK) package, providing a balance between thermal performance and space efficiency. This design allows for effective heat dissipation while maintaining a small footprint, making it ideal for modern, high-density PCB layouts.   Additionally, the RFD14N05LSM is built with advanced silicon technology, ensuring low gate charge and high avalanche energy capability. These attributes contribute to improved durability and operational stability, even in demanding environments.   Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer devices, the RFD14N05LSM offers a dependable solution for power management challenges. Its combination of high current handling, low resistance, and thermal efficiency makes it a preferred choice for engineers seeking performance and reliability in their designs.   For applications requiring efficient power switching with minimal losses, the RFD14N05LSM stands out as a high-performance MOSFET that meets the demands of modern electronic systems. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips