100V, 3A, 165m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching **Enhance Your Power Designs with the RJK1028DSP MOSFET**  

In high-performance power electronics, efficiency and reliability are paramount. The RJK1028DSP MOSFET from Renesas Electronics is engineered to meet these demands, offering superior performance for applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies.  

Designed with advanced trench technology, the RJK1028DSP delivers low on-resistance (RDS(on)) of just 3.8 mΩ (max) at 10 V, significantly reducing conduction losses. This ensures higher efficiency and lower heat generation, making it ideal for high-current applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 40 V and a continuous drain current (ID) of 80 A, this MOSFET provides robust power handling in a compact package.  

The device features a fast switching capability, minimizing switching losses in high-frequency circuits. Its low gate charge (Qg) and optimized gate resistance enhance performance in synchronous rectification and PWM-controlled systems. Additionally, the RJK1028DSP is housed in a thermally efficient D2PAK (TO-263) package, ensuring effective heat dissipation and long-term reliability.  

Engineers will appreciate the MOSFET’s avalanche energy rating and strong body diode, which improve system robustness in inductive load conditions. Whether used in industrial automation, automotive systems, or renewable energy solutions, the RJK1028DSP delivers consistent performance under demanding conditions.  

For designers seeking a high-efficiency, high-power MOSFET, the RJK1028DSP stands out as a reliable choice, combining cutting-edge technology with practical thermal management. Its balance of low RDS(on), high current capability, and fast switching makes it a versatile solution for modern power electronics.  

Upgrade your power designs with the RJK1028DSP and experience enhanced efficiency, durability, and performance in your next project.