IC Phoenix logo

Home ›  R  › R11 > RJK03L3DNS

RJK03L3DNS from NEC

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

RJK03L3DNS

Manufacturer: NEC

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
RJK03L3DNS NEC 10000 In Stock

Description and Introduction

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode **Enhance Your Circuit Designs with the RJK03L3DNS MOSFET**  

In the realm of power electronics, efficiency and reliability are paramount. The **RJK03L3DNS** MOSFET stands out as a high-performance solution for applications demanding low on-resistance and fast switching capabilities. Designed for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching, this component ensures optimal performance in compact and energy-efficient designs.  

The RJK03L3DNS features an advanced trench structure, delivering an ultra-low **RDS(ON)** of just 3.0mΩ (max) at a **VGS** of 10V. This minimizes conduction losses, making it ideal for high-current applications where thermal management is critical. With a **VDSS** rating of 30V, it provides robust voltage handling while maintaining stability under demanding conditions.  

Engineers will appreciate its fast switching characteristics, reducing switching losses and improving overall system efficiency. The device’s low gate charge (**Qg**) further enhances performance in high-frequency applications, ensuring smoother transitions and reduced power dissipation.  

Packaged in a **PowerPAK® SO-8** form factor, the RJK03L3DNS offers excellent thermal performance in a space-saving design. Its compact footprint makes it suitable for modern electronics where board space is at a premium. Additionally, the component’s high avalanche energy rating ensures durability in transient voltage scenarios.  

Whether integrated into industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, the RJK03L3DNS delivers consistent, high-efficiency operation. Its combination of low resistance, fast switching, and thermal resilience makes it a preferred choice for engineers seeking to optimize power efficiency without compromising reliability.  

For designers looking to elevate their power management solutions, the RJK03L3DNS MOSFET presents a compelling option—balancing performance, size, and durability in a single, high-quality component.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips