N-channel 100 V 5.6 m惟 standard level MOSFET in D2PAK The **PSMN5R6-100BS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications requiring low on-resistance and high efficiency. Manufactured using advanced semiconductor technology, this component offers a low **RDS(on)** of just 5.6 mΩ at 10 V, ensuring minimal power loss and improved thermal performance.  

With a **100 V drain-source voltage (VDS)** rating and a continuous drain current (**ID**) of 100 A, the PSMN5R6-100BS is well-suited for demanding applications such as DC-DC converters, motor drives, and switching power supplies. Its robust construction and high current-handling capability make it a reliable choice for industrial and automotive systems.  

The MOSFET features a **TO-263 (D2PAK)** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical stability. Its fast switching characteristics further enhance efficiency in high-frequency circuits. Additionally, the device incorporates built-in protection features, including a low gate charge (**Qg**), which reduces switching losses and improves overall system performance.  

Engineers and designers favor the PSMN5R6-100BS for its balance of power efficiency, thermal management, and durability. Whether used in renewable energy systems, battery management, or heavy-load switching, this MOSFET delivers consistent performance under challenging conditions.

N-channel 100 V 5.6 m惟 standard level MOSFET in D2PAK