IC Phoenix logo

Home ›  P  › P32 > PSMN5R5-60YS

PSMN5R5-60YS from PHILIPS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

PSMN5R5-60YS

Manufacturer: PHILIPS

N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN5R5-60YS,PSMN5R560YS PHILIPS 100 In Stock

Description and Introduction

N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET **Introduction to the PSMN5R5-60YS Power MOSFET**  

The PSMN5R5-60YS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 5.5 mΩ and a drain-source voltage (VDS) rating of 60V, this component excels in minimizing conduction losses while handling substantial current loads.  

Built using advanced trench technology, the PSMN5R5-60YS offers superior switching performance, making it suitable for high-frequency applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies. Its robust design ensures reliable operation under high-stress conditions, with excellent thermal characteristics to maintain stability.  

Key features include a high current capability, fast switching speeds, and a compact package optimized for space-constrained designs. Engineers favor this MOSFET for its balance of efficiency, power density, and cost-effectiveness, making it a preferred choice in industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

For designers seeking a dependable power switching solution, the PSMN5R5-60YS provides an optimal combination of performance and durability, ensuring long-term reliability in modern electronic systems.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN5R5-60YS,PSMN5R560YS NXP 1469 In Stock

Description and Introduction

N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET **Introduction to the PSMN5R5-60YS Power MOSFET**  

The PSMN5R5-60YS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 5.5 mΩ and a drain-to-source voltage (VDS) rating of 60V, this component is optimized for high-current switching tasks while minimizing power losses.  

Featuring a compact and robust package, the PSMN5R5-60YS is well-suited for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply units. Its fast switching characteristics and low gate charge enhance energy efficiency, making it ideal for applications where thermal performance and reliability are critical.  

Engineers will appreciate its high current-handling capability, with a continuous drain current (ID) of up to 100A, ensuring stable operation under demanding conditions. Additionally, the MOSFET's avalanche-rated design provides added durability in transient voltage scenarios.  

Whether used in industrial automation, automotive systems, or renewable energy solutions, the PSMN5R5-60YS delivers a balance of performance, efficiency, and ruggedness, making it a dependable choice for modern power electronics designs.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips