PSMN5R5-60YSManufacturer: PHILIPS, NXP N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET |
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| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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| PSMN5R5-60YS,PSMN5R560YS | PHILIPS, NXP | 1569 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET **Introduction to the PSMN5R5-60YS Power MOSFET**  
The PSMN5R5-60YS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 5.5 mΩ and a drain-source voltage (VDS) rating of 60V, this component excels in minimizing conduction losses while handling substantial current loads.   Built using advanced trench technology, the PSMN5R5-60YS offers superior switching performance, making it suitable for high-frequency applications such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies. Its robust design ensures reliable operation under high-stress conditions, with excellent thermal characteristics to maintain stability.   Key features include a high current capability, fast switching speeds, and a compact package optimized for space-constrained designs. Engineers favor this MOSFET for its balance of efficiency, power density, and cost-effectiveness, making it a preferred choice in industrial, automotive, and consumer electronics applications.   For designers seeking a dependable power switching solution, the PSMN5R5-60YS provides an optimal combination of performance and durability, ensuring long-term reliability in modern electronic systems. |
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Application Scenarios & Design Considerations
N-channel LFPAK 60 V, 5.2 m惟 standard level FET
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Alternative Part Number
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