N-channel 80 V, 4.5 m鈩?standard level MOSFET in D2PAK The **PSMN4R4-80BS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high efficiency in a compact package. This component is optimized for switching applications, making it suitable for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supplies where fast switching and minimal power loss are critical.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 80V and a continuous drain current (ID) of up to 100A, the PSMN4R4-80BS provides robust performance in demanding environments. Its ultra-low on-resistance (RDS(on)) of just 4.4mΩ at 10V ensures reduced conduction losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features low gate charge (Qg) and fast switching characteristics, which help minimize switching losses in high-frequency applications.  

Encased in a **TO-263 (D2PAK)** package, the PSMN4R4-80BS offers excellent thermal performance, allowing for effective heat dissipation in power-dense designs. Its rugged construction and reliable performance make it a preferred choice for industrial, automotive, and renewable energy applications.  

Engineers and designers seeking a high-efficiency, low-loss MOSFET for power conversion systems will find the PSMN4R4-80BS to be a dependable solution, balancing performance, thermal management, and durability.

N-channel 80 V, 4.5 m鈩?standard level MOSFET in D2PAK