PSMN3R3-80ESManufacturer: NXP/PH N-channel 80 V, 3.3 m鈩?standard level MOSFET in I2PAK | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PSMN3R3-80ES,PSMN3R380ES | NXP/PH | 10000 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel 80 V, 3.3 m鈩?standard level MOSFET in I2PAK **Introduction to the PSMN3R3-80ES Electronic Component**  
The PSMN3R3-80ES is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 3.3 mΩ, it ensures minimal power loss, making it ideal for high-efficiency switching circuits. This component operates at a drain-source voltage (VDS) of 80 V, providing robust performance in demanding environments.   Featuring a compact and thermally efficient package, the PSMN3R3-80ES is well-suited for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. Its fast switching capability enhances system responsiveness while maintaining reliability under high current conditions.   Engineers value this MOSFET for its balance of performance and durability, supported by industry-standard quality and testing. Whether used in industrial automation, renewable energy systems, or automotive electronics, the PSMN3R3-80ES delivers consistent power handling with minimal thermal stress.   For designers seeking a reliable, high-current MOSFET, the PSMN3R3-80ES offers a compelling solution, combining efficiency, ruggedness, and ease of integration into modern power electronics designs. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
N-channel 80 V, 3.3 m鈩?standard level MOSFET in I2PAK
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips