PSMN085-150KManufacturer: NXP/PH, NXP, PHILIPS N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PSMN085-150K,PSMN085150K | NXP/PH, NXP, PHILIPS | 13429 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET The **PSMN085-150K** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in modern electronic circuits. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 8.5 mΩ, this component minimizes power losses, making it ideal for power management systems, DC-DC converters, and motor control applications.  
Featuring a robust voltage rating of 150V, the PSMN085-150K ensures reliable operation in demanding environments. Its advanced trench technology enhances switching speed while maintaining thermal stability, contributing to improved energy efficiency. The MOSFET also supports high current handling, making it suitable for industrial, automotive, and renewable energy applications.   Packaged in a compact and thermally efficient TO-220 or D2PAK format, the PSMN085-150K facilitates easy integration into circuit designs while providing effective heat dissipation. Engineers favor this component for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness.   Whether used in power supplies, inverters, or load-switching circuits, the PSMN085-150K delivers consistent performance with minimal conduction losses, making it a preferred choice for high-efficiency power electronics. Its combination of low RDS(on) and high voltage tolerance ensures long-term reliability in diverse applications. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
|
|||
Alternative Part Number
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips