PSMN013-100PSManufacturer: NXP/PH N-channel 100V 13.9m鈩?standard level MOSFET in TO220. | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PSMN013-100PS,PSMN013100PS | NXP/PH | 10000 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel 100V 13.9m鈩?standard level MOSFET in TO220. **Introduction to the PSMN013-100PS Power MOSFET**  
The PSMN013-100PS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 1.3 mΩ, this component minimizes power losses, making it ideal for high-current switching applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.   Featuring a robust 100V drain-source voltage rating, the PSMN013-100PS ensures reliable operation in demanding environments. Its advanced trench technology enhances switching performance while maintaining thermal stability, crucial for applications requiring prolonged high-power operation.   The MOSFET is housed in a compact and thermally efficient Power-SO8 package, allowing for space-saving PCB designs without compromising heat dissipation. Additionally, its fast switching characteristics contribute to improved system efficiency, reducing energy consumption in power-sensitive applications.   Engineers and designers will appreciate the PSMN013-100PS for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive systems, or renewable energy solutions, this MOSFET delivers consistent and efficient power handling, making it a versatile choice for modern electronic designs. |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PSMN013-100PS,PSMN013100PS | NXP | 800 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel 100V 13.9m鈩?standard level MOSFET in TO220. The **PSMN013-100PS** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications requiring low on-resistance and high efficiency. This electronic component is widely used in switching regulators, motor control circuits, and power supply systems due to its robust performance and reliability.  
With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of up to 130A, the PSMN013-100PS offers excellent power handling capabilities. Its low on-resistance (RDS(on)) of just 1.3mΩ minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in high-current applications.   The MOSFET features a compact and thermally efficient Power-SO8 package, making it suitable for space-constrained designs while ensuring effective heat dissipation. Additionally, its fast switching characteristics contribute to reduced switching losses, further improving system performance.   Engineers often select the PSMN013-100PS for its balance of power density, thermal management, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive systems, or renewable energy solutions, this component provides a dependable solution for demanding power electronics applications.   For optimal performance, proper gate drive circuitry and thermal management should be considered during design implementation. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips