IC Phoenix logo

Home ›  P  › P31 > PSMN010-55D

PSMN010-55D from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

PSMN010-55D

Manufacturer: ST

N-channel logic level TrenchMOS(tm) transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN010-55D,PSMN01055D ST 2679 In Stock

Description and Introduction

N-channel logic level TrenchMOS(tm) transistor **Introduction to the PSMN010-55D Power MOSFET**  

The PSMN010-55D is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) of up to 100A, this component is well-suited for demanding power switching tasks, including DC-DC converters, motor control, and load switching.  

Featuring low on-resistance (RDS(on)) of just 1.0mΩ (typical), the PSMN010-55D minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in high-current applications. Its robust design ensures reliable operation under high-power conditions while maintaining thermal stability. The MOSFET also incorporates fast switching characteristics, making it ideal for high-frequency circuits.  

Packaged in a compact and thermally efficient D2PAK (TO-263) format, the PSMN010-55D offers excellent power dissipation and mechanical durability. Its advanced silicon technology provides a balance between performance and cost-effectiveness, making it a preferred choice for engineers designing power electronics systems.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or renewable energy systems, the PSMN010-55D delivers dependable performance, ensuring efficient power handling with minimal losses.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PSMN010-55D,PSMN01055D NXP 26300 In Stock

Description and Introduction

N-channel logic level TrenchMOS(tm) transistor **Introduction to the PSMN010-55D Power MOSFET**  

The PSMN010-55D is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 10 mΩ, this component minimizes conduction losses, making it ideal for high-current switching circuits. Its robust 55V drain-source voltage (VDS) rating ensures reliable operation in industrial, automotive, and power supply systems.  

Featuring a compact and thermally efficient package, the PSMN010-55D offers excellent power dissipation capabilities, enhancing system reliability under high-load conditions. The MOSFET’s fast switching characteristics further improve efficiency in DC-DC converters, motor drives, and load switches.  

Designed with advanced semiconductor technology, the PSMN010-55D provides a balance of low gate charge and high current handling, optimizing performance in both high-frequency and high-power applications. Its rugged construction ensures durability in harsh environments, meeting stringent industry standards.  

Engineers value the PSMN010-55D for its combination of efficiency, thermal performance, and compact form factor, making it a versatile choice for modern electronic designs. Whether used in battery management, power distribution, or industrial automation, this MOSFET delivers consistent performance with minimal energy loss.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your design.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips