The PSMN004-60B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in demanding applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 4 mΩ and a drain-source voltage (VDS) rating of 60V, this component excels in minimizing conduction losses while handling moderate to high current loads.  

Engineered for robustness, the PSMN004-60B features a compact and thermally efficient package, making it suitable for space-constrained designs. Its fast switching characteristics enhance performance in DC-DC converters, motor drives, and power supply circuits. Additionally, the MOSFET’s low gate charge ensures reduced switching losses, improving overall system efficiency.  

The device is well-suited for industrial, automotive, and consumer electronics applications where reliability and power efficiency are critical. Its rugged construction ensures stable operation under varying load conditions, while its ESD protection enhances durability in harsh environments.  

For designers seeking a balance between performance and cost-effectiveness, the PSMN004-60B offers a compelling solution, combining low power dissipation with high current-handling capabilities. Its technical specifications make it a versatile choice for modern power electronics systems.