The PSMN004-25B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a low on-resistance (RDS(on)) of just 0.85 mΩ (typical at 10 V) and a maximum drain-source voltage (VDS) of 25 V, this component is optimized for low-voltage, high-current switching operations.  

Featuring a compact and robust package, the PSMN004-25B is well-suited for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supply circuits. Its fast switching characteristics and low gate charge (Qg) ensure minimal power losses, making it ideal for energy-efficient designs.  

The MOSFET also includes an integrated Schottky diode, enhancing its performance in synchronous rectification and reducing reverse recovery losses. With a high current-handling capability (up to 240 A pulsed), it delivers reliable operation under demanding conditions.  

Engineers and designers favor the PSMN004-25B for its balance of efficiency, thermal performance, and durability. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this component provides a dependable solution for modern power management challenges.