PMV31XNManufacturer: PHILIPS PMV31XN; uTrenchMOS (tm) extremely low level FET | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PMV31XN | PHILIPS | 102000 | In Stock |
Description and Introduction
PMV31XN; uTrenchMOS (tm) extremely low level FET **Introduction to the PMV31XN Electronic Component**  
The PMV31XN is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. Known for its low on-resistance and high current-handling capabilities, this component is ideal for switching and amplification tasks in circuits requiring minimal power loss.   With a compact and robust design, the PMV31XN offers reliable performance in space-constrained environments, making it suitable for portable devices, power supplies, and battery management systems. Its enhanced thermal characteristics ensure stable operation under varying load conditions, improving overall system efficiency.   Key features of the PMV31XN include a low threshold voltage, fast switching speeds, and excellent ESD protection, making it a versatile choice for both industrial and consumer electronics. Engineers often select this MOSFET for its balance of performance and durability, ensuring long-term reliability in demanding applications.   Whether used in DC-DC converters, motor control, or load switching, the PMV31XN provides a dependable solution for modern electronic designs. Its combination of efficiency, compactness, and robustness makes it a preferred component for optimizing power delivery in next-generation devices. |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PMV31XN | NXP/PH | 10000 | In Stock |
Description and Introduction
PMV31XN; uTrenchMOS (tm) extremely low level FET **Introduction to the PMV31XN Electronic Component**  
The PMV31XN is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. Known for its low on-resistance and robust thermal performance, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supply circuits, battery management systems, and portable devices.   With a compact and industry-standard package, the PMV31XN ensures reliable operation while minimizing power losses, making it an ideal choice for energy-sensitive designs. Its fast switching capabilities enhance efficiency in DC-DC converters and load-switching applications. Additionally, the MOSFET's strong electrostatic discharge (ESD) protection improves durability in demanding environments.   Engineers favor the PMV31XN for its balance of performance, size, and cost-effectiveness, enabling optimized designs in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls. Whether used in power distribution or signal conditioning, this component delivers consistent performance with minimal heat dissipation.   For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure compatibility with their circuit requirements. The PMV31XN exemplifies modern semiconductor advancements, offering a dependable solution for efficient power handling in compact electronic systems. |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PMV31XN | NXP/PHILIPS | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
PMV31XN; uTrenchMOS (tm) extremely low level FET # Introduction to the PMV31XN MOSFET  
The PMV31XN is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. Known for its low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capability, this component is well-suited for switching and power regulation tasks in portable devices, battery management systems, and DC-DC converters.   With a compact SOT-23 package, the PMV31XN offers space-saving advantages while maintaining reliable performance. Its low threshold voltage ensures compatibility with low-voltage control circuits, making it ideal for energy-sensitive designs. Additionally, the MOSFET features fast switching speeds, reducing power losses in high-frequency applications.   Key specifications include a robust maximum drain-source voltage (VDS) and gate-source voltage (VGS) ratings, ensuring stable operation under varying load conditions. The device also incorporates built-in protection against electrostatic discharge (ESD), enhancing durability in real-world environments.   Engineers and designers often select the PMV31XN for its balance of efficiency, compact form factor, and cost-effectiveness. Whether used in power supplies, motor control, or load switching, this MOSFET provides a dependable solution for modern electronic systems. |
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips