PBSS5440DManufacturer: PHILIPS 40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS5440D | PHILIPS | 850 | In Stock |
Description and Introduction
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor The **PBSS5440D** from Philips is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. This component is part of the **SOT457 (SC-74) surface-mount package**, making it suitable for compact and space-constrained designs.  
With a **collector current (Ic) rating of 1 A** and a **collector-emitter voltage (Vceo) of 40 V**, the PBSS5440D offers robust performance in low-power circuits. Its **high current gain (hFE)**, ranging from **100 to 250**, ensures efficient signal amplification, while a **low saturation voltage** enhances energy efficiency in switching applications.   The transistor features **fast switching speeds**, making it ideal for use in digital logic circuits, power management systems, and driver stages. Its **small footprint** and **lead-free, RoHS-compliant construction** align with modern environmental and manufacturing standards.   Engineers often select the PBSS5440D for its **reliability and consistent performance** in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls. Whether used in signal processing or power regulation, this BJT provides a dependable solution for demanding electronic designs.   For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper integration into your circuit. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips