PBSS5140TManufacturer: NXP 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS5140T | NXP | 5600 | In Stock |
Description and Introduction
40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor **Introduction to the PBSS5140T Transistor by NXP Semiconductors**  
The PBSS5140T is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) from NXP Semiconductors, designed for switching and amplification applications. With a compact SOT-23 surface-mount package, it is well-suited for space-constrained designs while delivering reliable performance.   Key features of the PBSS5140T include a collector current (IC) rating of -1.5 A and a collector-emitter voltage (VCEO) of -40 V, making it suitable for low- to medium-power circuits. Its low saturation voltage ensures efficient switching, while a high current gain (hFE) enhances signal amplification capabilities.   Engineers often integrate the PBSS5140T into power management systems, motor control circuits, and general-purpose switching applications. Its robust construction and thermal characteristics ensure stable operation under varying load conditions.   As part of NXP’s portfolio of discrete semiconductors, the PBSS5140T exemplifies a balance of performance, efficiency, and reliability, making it a practical choice for modern electronic designs. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips