PBSS4350SSManufacturer: NXP 50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS4350SS | NXP | 200 | In Stock |
Description and Introduction
50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor **Introduction to the PBSS4350SS from NXP Semiconductors**  
The PBSS4350SS is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. Manufactured by NXP Semiconductors, this component offers low saturation voltage and high current capability, making it well-suited for power management in portable electronics, automotive systems, and industrial controls.   With a collector current rating of -5 A and a collector-emitter voltage (VCEO) of -50 V, the PBSS4350SS ensures reliable operation in demanding environments. Its compact SOT457 (SC-74) surface-mount package enhances board space efficiency while maintaining robust thermal performance.   Key features include fast switching speeds and low power dissipation, which contribute to improved energy efficiency in circuit designs. The transistor is also RoHS-compliant, aligning with modern environmental standards.   Engineers favor the PBSS4350SS for its balance of performance, size, and cost-effectiveness, making it a versatile choice for applications such as load switching, motor control, and signal amplification. Its reliability and efficiency underscore NXP's commitment to delivering high-quality semiconductor solutions for advanced electronic systems. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
|
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PBSS4350SS | NXP/PHILIPS | 1000 | In Stock |
Description and Introduction
50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor The **PBSS4350SS** from NXP Semiconductors is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. This compact surface-mount device features a low saturation voltage and high current capability, making it suitable for power management in portable electronics, automotive systems, and industrial controls.  
With a collector current rating of **-4 A** and a collector-emitter voltage (**VCEO**) of **-50 V**, the PBSS4350SS ensures efficient operation in demanding circuits. Its low **VCE(sat)** minimizes power losses, enhancing energy efficiency in high-current applications. The transistor is housed in a **SOT1116 (LFPAK56) package**, providing excellent thermal performance and mechanical reliability.   Engineers favor the PBSS4350SS for its fast switching speeds and robust construction, which contribute to improved system reliability. Whether used in DC-DC converters, motor drivers, or signal amplification, this component delivers consistent performance under varying load conditions.   NXP's commitment to quality ensures that the PBSS4350SS meets stringent industry standards, making it a dependable choice for modern electronic designs. Its combination of power efficiency, compact form factor, and durability makes it a versatile solution for a wide range of applications. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips