PBSS4240DPNManufacturer: PHILIPS PBSS4240DPN; 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS4240DPN | PHILIPS | 280 | In Stock |
Description and Introduction
PBSS4240DPN; 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor The **PBSS4240DPN** from Philips is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. This component is part of the **SOT1218 (DPN)** package, offering a compact footprint while delivering robust electrical characteristics.  
With a collector-emitter voltage (**VCE**) rating of 40V and a continuous collector current (**IC**) of 3A, the PBSS4240DPN is well-suited for power management in low-voltage circuits. Its high current gain (**hFE**) ensures efficient signal amplification, while low saturation voltage enhances energy efficiency in switching operations.   The transistor features a fast switching speed, making it ideal for applications such as DC-DC converters, motor control, and LED drivers. Its thermal performance is optimized for reliability, with a maximum junction temperature of 150°C.   The **PBSS4240DPN** is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards. Its dual-emitter configuration in the DPN package provides design flexibility, allowing engineers to implement it in space-constrained PCB layouts.   Philips’ expertise in semiconductor technology ensures that the PBSS4240DPN delivers consistent performance, making it a dependable choice for industrial and consumer electronics applications. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
PBSS4240DPN; 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
|
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PBSS4240DPN | NXP | 20 | In Stock |
Description and Introduction
PBSS4240DPN; 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor **Introduction to the PBSS4240DPN by NXP Semiconductors**  
The PBSS4240DPN is a high-performance, low-voltage NPN/PNP transistor pair designed for switching and amplification applications. Manufactured by NXP Semiconductors, this component integrates two complementary transistors in a compact, space-saving package, making it ideal for modern electronic designs requiring efficient power management and signal processing.   With a low collector-emitter saturation voltage and high current gain, the PBSS4240DPN ensures minimal power loss and reliable operation in low-voltage circuits. Its robust construction supports a wide operating temperature range, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications.   The device features a dual-emitter configuration, enhancing flexibility in circuit design while maintaining high switching speeds. Its small footprint and compatibility with surface-mount technology (SOT1116 package) allow for streamlined PCB layouts, optimizing space and performance in densely populated boards.   Engineers and designers will appreciate the PBSS4240DPN for its balanced performance, durability, and versatility, making it a practical choice for applications such as power supplies, motor control, and signal amplification. NXP's commitment to quality ensures consistent performance, meeting the demands of modern electronic systems. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
PBSS4240DPN; 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips