PBSS4140DPNManufacturer: NXP 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS4140DPN | NXP | 100 | In Stock |
Description and Introduction
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor The **PBSS4140DPN** from NXP Semiconductors is a high-performance, low-voltage PNP transistor designed for switching and amplification applications. Packaged in a compact **DPN (SOT1118)** configuration, this component is optimized for efficiency and reliability in space-constrained designs.  
With a collector-emitter voltage (**VCE**) of -40 V and a continuous collector current (**IC**) of -2 A, the PBSS4140DPN is well-suited for power management, signal processing, and load-switching circuits. Its low saturation voltage ensures minimal power loss, enhancing energy efficiency in battery-operated devices.   The transistor features a high current gain (**hFE**) and fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, its robust thermal performance allows for stable operation under varying environmental conditions.   Engineers favor the PBSS4140DPN for its balance of performance, compact footprint, and cost-effectiveness. It is commonly used in consumer electronics, industrial controls, and automotive systems where reliable low-voltage switching is essential.   For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure proper integration into your circuit design. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
|
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| PBSS4140DPN | NXP/PHILIPS | 3000 | In Stock |
Description and Introduction
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor **Introduction to the PBSS4140DPN from NXP Semiconductors**  
The PBSS4140DPN is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. Manufactured by NXP Semiconductors, this component is optimized for low-voltage, high-speed operations, making it suitable for use in power management, signal processing, and general-purpose circuits.   Featuring a compact and efficient Dual Flat No-Lead (DFN) package, the PBSS4140DPN offers excellent thermal performance and space-saving advantages for modern PCB designs. With a collector current rating of 1 A and a collector-emitter voltage (VCEO) of 40 V, it provides reliable performance in a variety of electronic systems.   Key characteristics include low saturation voltage, fast switching speeds, and high current gain, ensuring energy efficiency and improved circuit responsiveness. Its robust construction and adherence to industry standards make it a dependable choice for designers seeking a balance between performance and cost-effectiveness.   Ideal for applications such as DC-DC converters, motor drivers, and load switching, the PBSS4140DPN exemplifies NXP's commitment to delivering high-quality semiconductor solutions for modern electronics. Engineers can leverage its capabilities to enhance system efficiency while maintaining compact and reliable designs. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips