PBSS302PDManufacturer: NXP/PHILIPS, PHI, NXP 40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor |
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| PBSS302PD | NXP/PHILIPS, PHI, NXP | 12000 | In Stock |
Description and Introduction
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor **Introduction to the PBSS302PD Transistor by Philips**  
The PBSS302PD is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications. Manufactured by Philips, this component is known for its reliability and efficiency in low-voltage circuits. With a compact SOT457 (SC-74) package, the PBSS302PD is suitable for space-constrained designs while maintaining robust electrical characteristics.   Key features include a collector current (Ic) rating of -1 A and a collector-emitter voltage (VCEO) of -30 V, making it ideal for power management and signal processing tasks. Its low saturation voltage ensures minimal power loss, enhancing energy efficiency in portable and battery-operated devices. Additionally, the transistor offers fast switching speeds, which are beneficial for high-frequency applications.   The PBSS302PD is commonly used in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls where dependable performance is essential. Its thermal stability and durability further contribute to its suitability for demanding environments. Engineers and designers favor this transistor for its balance of performance, size, and cost-effectiveness.   In summary, the PBSS302PD from Philips is a versatile and reliable PNP transistor, well-suited for modern electronic circuits requiring efficient power handling and compact form factors. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
40 V PNP low VCEsat (BISS) transistor
|
|||
Alternative Part Number
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips