C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET The **NE32584C** is a high-performance, low-noise pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) designed for microwave and millimeter-wave applications. Known for its exceptional gain and noise figure characteristics, this component is widely used in communication systems, radar, and test equipment operating in the **1 GHz to 20 GHz** range.  

Fabricated using advanced semiconductor technology, the NE32584C offers superior linearity and stability, making it suitable for demanding RF and microwave circuits. Its low-noise performance is particularly advantageous in receiver front-end designs, where signal integrity is critical. Additionally, the device features a robust construction that ensures reliability in various operating conditions.  

Engineers favor the NE32584C for its consistent performance across a broad frequency spectrum, along with its ease of integration into hybrid and monolithic microwave integrated circuits (MMICs). Whether used in amplifiers, mixers, or oscillators, this transistor delivers high efficiency and low power consumption.  

With its combination of low noise, high gain, and reliable operation, the NE32584C remains a preferred choice for professionals working in high-frequency applications. Its technical specifications make it a versatile component for both commercial and defense-related RF systems.