The NDF10N60ZH is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in power electronics. With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 600V and a continuous drain current (I_D) of 10A, this component is well-suited for use in power supplies, inverters, motor control circuits, and other high-voltage systems.  

Featuring low on-state resistance (R_DS(on)), the NDF10N60ZH minimizes conduction losses, enhancing overall energy efficiency. Its fast switching characteristics help reduce switching losses, making it ideal for high-frequency applications. The MOSFET is also designed with robust avalanche energy capability, ensuring reliable operation under transient voltage conditions.  

Packaged in a TO-252 (DPAK) form factor, the NDF10N60ZH offers a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Its design incorporates advanced silicon technology to deliver high durability and stable operation across a wide temperature range.  

Engineers and designers can leverage the NDF10N60ZH for applications requiring high voltage handling, low power dissipation, and efficient switching performance. Its combination of electrical and thermal properties makes it a dependable choice for modern power management solutions.