N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ? The **NDD05N50Z-1G** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 500V and a continuous drain current (I_D) of 4.5A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and industrial systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 1.5Ω (typical), the NDD05N50Z-1G minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in high-voltage applications. Its fast switching capability ensures reduced switching losses, making it ideal for high-frequency operations. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining excellent thermal performance.  

Additionally, the MOSFET incorporates robust protection features, including a high avalanche energy rating, ensuring reliability under transient voltage conditions. Its gate charge (Q_G) and input capacitance (C_iss) are optimized for efficient drive circuit design, further improving system performance.  

Engineers and designers can leverage the NDD05N50Z-1G for applications requiring high-voltage handling, low power dissipation, and compact form factors. Its combination of electrical efficiency and rugged construction makes it a dependable choice for demanding power electronics projects.