Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK The **NTD4960NT4G** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. This component is widely used in switching circuits, motor control, and power supply systems due to its low on-resistance and high efficiency.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of **60V** and a continuous drain current (I_D) of **50A**, the NTD4960NT4G delivers robust performance in demanding environments. Its low gate charge and fast switching characteristics make it suitable for high-frequency applications, reducing power losses and improving thermal management.  

The MOSFET features a **TO-252 (DPAK)** package, ensuring compact design integration while maintaining excellent heat dissipation. Its advanced silicon technology enhances reliability, making it ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

Key specifications include a typical on-resistance (R_DS(on)) of **4.5mΩ** at 10V gate drive, contributing to minimal conduction losses. Additionally, its avalanche energy rating ensures durability under transient voltage conditions.  

Engineers favor the NTD4960NT4G for its balance of efficiency, power handling, and thermal performance. Whether used in DC-DC converters, load switches, or battery management systems, this MOSFET provides a dependable solution for modern power electronics.

Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK # Introduction to the NTD4960NT4G Power MOSFET  

The NTD4960NT4G is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a robust construction and advanced semiconductor technology, this component offers low on-state resistance (RDS(on)), enabling reduced power dissipation and improved energy efficiency.  

Featuring a compact DPAK (TO-252) package, the NTD4960NT4G is well-suited for space-constrained designs while maintaining excellent thermal performance. Its high current-handling capability makes it ideal for switching applications in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Key specifications include a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 50A, ensuring reliable operation under demanding conditions. Additionally, the MOSFET's fast switching characteristics enhance performance in high-frequency applications.  

Engineers and designers value the NTD4960NT4G for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs.  

For detailed electrical and thermal parameters, consult the manufacturer's datasheet to ensure proper integration into your circuit design.

Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK