MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR The **NP82N06MLG** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a **60V drain-source voltage (V_DS)** rating and a **continuous drain current (I_D)** of up to **82A**, this component is well-suited for high-current switching tasks, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a low **on-resistance (R_DS(on))** of just **8.5mΩ**, the NP82N06MLG minimizes power losses, enhancing energy efficiency in demanding circuits. Its **TO-252 (DPAK)** package ensures robust thermal performance, making it suitable for compact designs where heat dissipation is critical.  

The MOSFET also incorporates **fast switching characteristics**, reducing transition losses in high-frequency applications. Additionally, its **avalanche ruggedness** provides reliable operation under transient voltage spikes, improving system durability.  

Engineers often select the NP82N06MLG for its balance of performance, thermal efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, this MOSFET delivers dependable power handling while maintaining operational stability.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration within your circuit design.