MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR The **NP82N04MUG** is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 40V and a continuous drain current (I_D) of 82A, this component is well-suited for demanding switching tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of just 4.2mΩ at 10V gate drive, the NP82N04MUG minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its robust thermal performance and compact package make it ideal for space-constrained designs requiring high power density.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, ensuring fast switching speeds and reduced gate charge (Q_g), which further enhances energy efficiency. Additionally, its high avalanche energy rating provides reliable operation under transient voltage conditions.  

Engineers often select the NP82N04MUG for applications where thermal management and power dissipation are critical. Its combination of high current handling, low resistance, and efficient switching characteristics makes it a dependable choice for modern power electronics.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper integration within the target application.