NP80N06PLGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N06PLG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR **Introduction to the NP80N06PLG Power MOSFET**  
The NP80N06PLG is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching and power management applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) capability of 80A, this component is well-suited for demanding power conversion tasks, including motor control, DC-DC converters, and load switching.   Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of just 8.0mΩ (typical), the NP80N06PLG minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its robust design ensures reliable performance under high-current conditions while maintaining thermal stability. The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package, offering a balance between compact size and effective heat dissipation.   The NP80N06PLG incorporates fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency applications. Additionally, its gate charge (Qg) is optimized to reduce switching losses, further enhancing energy efficiency.   Engineers and designers often select this MOSFET for its combination of high current handling, low resistance, and thermal performance. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the NP80N06PLG provides a dependable solution for power management challenges. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips