NP80N06NLGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N06NLG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR **Introduction to the NP80N06NLG MOSFET**  
The NP80N06NLG is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 80A, this component is well-suited for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the NP80N06NLG minimizes power losses, making it ideal for DC-DC converters, motor drivers, and load-switching circuits. Its robust construction ensures reliable performance under demanding conditions, while the TO-263 (D2PAK) package provides efficient thermal dissipation.   Key specifications include a gate threshold voltage (VGS(th)) typically around 2V to 4V, ensuring compatibility with standard logic-level drivers. Additionally, its avalanche energy rating enhances durability in transient voltage scenarios.   Engineers value the NP80N06NLG for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness, making it a practical choice for modern power electronics designs. Whether used in battery management systems or high-current switching applications, this MOSFET delivers dependable operation with minimal energy waste.   For detailed electrical and thermal parameters, consult the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips