NP80N06MLGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N06MLG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR # Introduction to the NP80N06MLG MOSFET  
The NP80N06MLG is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 80A, this component is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the NP80N06MLG minimizes power losses, improving overall system performance. Its robust design ensures reliable operation in demanding environments, making it ideal for motor control, DC-DC converters, and load-switching circuits.   The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal dissipation. Its gate charge and threshold voltage specifications are optimized for efficient drive control, reducing the need for complex driving circuitry.   Engineers selecting the NP80N06MLG benefit from its balance of high current handling, thermal stability, and switching speed. Whether used in battery management systems or power supplies, this MOSFET provides a dependable solution for modern electronic designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips