MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET The **NP80N055NHE** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a robust **80V drain-source voltage (V_DS)** rating and a **55A continuous drain current (I_D)**, this component is well-suited for demanding power switching tasks, including motor control, DC-DC converters, and power supply systems.  

Featuring a low **on-resistance (R_DS(on))** of just **8.5mΩ**, the NP80N055NHE minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency and thermal performance. Its advanced trench technology ensures fast switching speeds, making it ideal for high-frequency applications. Additionally, the MOSFET is housed in a **TO-263 (D2PAK)** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability.  

The NP80N055NHE is designed with reliability in mind, offering strong avalanche energy capability and a wide operating temperature range. These characteristics make it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics where consistent performance under varying conditions is critical.  

Engineers and designers seeking a high-current, low-loss switching solution will find the NP80N055NHE a versatile and efficient option for optimizing power delivery in modern electronic systems.