NP80N04PDGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N04PDG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR # Introduction to the NP80N04PDG Electronic Component  
The **NP80N04PDG** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 40V and a continuous drain current (ID) of up to 80A, this component is well-suited for power switching, motor control, and DC-DC conversion circuits.   Key features of the NP80N04PDG include a low on-resistance (RDS(on)), which minimizes power loss and enhances thermal performance. Its robust design ensures reliability in demanding environments, making it ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.   The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining excellent heat dissipation. Additionally, its fast switching characteristics contribute to improved efficiency in high-frequency applications.   Engineers and designers often select the NP80N04PDG for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in power supplies, battery management systems, or load switches, this component delivers consistent operation under varying electrical conditions.   For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into circuit designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips