NP80N04MDGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N04MDG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR **Introduction to the NP80N04MDG MOSFET**  
The NP80N04MDG is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 40V and a continuous drain current (ID) of 80A, this component is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the NP80N04MDG minimizes power losses, enhancing thermal performance and energy efficiency. Its robust design ensures reliable operation under high-current conditions, making it ideal for motor control, DC-DC converters, and load-switching circuits.   The MOSFET is housed in a compact, surface-mount package, facilitating easy integration into modern PCB designs. Additionally, its enhanced gate drive compatibility allows for straightforward implementation in both low-voltage and high-frequency applications.   Engineers value the NP80N04MDG for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in battery management systems or power supply units, this MOSFET delivers consistent performance while meeting stringent industry standards for quality and reliability.   By combining high current handling with efficient thermal dissipation, the NP80N04MDG stands as a versatile solution for demanding power electronics applications. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips