NP80N03KDEManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP80N03KDE | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET **Introduction to the NP80N03KDE Electronic Component**  
The NP80N03KDE is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 80A, this component is well-suited for power switching, motor control, and DC-DC conversion circuits.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, the NP80N03KDE minimizes power losses, enhancing energy efficiency in high-current applications. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it ideal for automotive, industrial, and consumer electronics.   The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. This allows for effective heat dissipation, contributing to prolonged device longevity. Additionally, its gate charge and threshold voltage specifications are optimized for compatibility with modern control circuits.   Engineers and designers often select the NP80N03KDE for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in power supplies, battery management systems, or load switches, this component provides a dependable solution for efficient power handling.   For detailed electrical characteristics and application guidelines, consulting the datasheet is recommended to ensure proper integration into circuit designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips