NP36P06SLGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP36P06SLG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET # Introduction to the NP36P06SLG Electronic Component  
The NP36P06SLG is a high-performance P-channel MOSFET designed for a variety of power management applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and robust current-handling capabilities, this component is well-suited for switching and amplification tasks in circuits requiring efficient power control.   Key features of the NP36P06SLG include a drain-source voltage (VDS) rating of -60V and a continuous drain current (ID) of -36A, making it ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications. Its low gate charge and fast switching characteristics enhance energy efficiency, reducing power losses in high-frequency operations.   Encased in a compact and thermally efficient package, the NP36P06SLG ensures reliable performance under demanding conditions. Its design prioritizes durability, with built-in protection against overcurrent and thermal overload, contributing to extended operational life.   Engineers and designers often integrate this MOSFET into power supplies, motor control systems, and battery management solutions, where precise and efficient power regulation is critical. The NP36P06SLG combines performance, reliability, and versatility, making it a preferred choice for modern electronic designs.   For detailed specifications and application guidelines, consult the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation in your circuit. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips