NP36P06KDGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP36P06KDG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR # Introduction to the NP36P06KDG Electronic Component  
The NP36P06KDG is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of -60V and a continuous drain current (ID) of -36A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and battery management systems.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics, the NP36P06KDG minimizes power losses, enhancing energy efficiency in circuits. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.   The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.   Engineers and designers often select the NP36P06KDG for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in DC-DC converters, load switches, or other power electronics, this component delivers consistent and efficient operation.   For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure compatibility with your design requirements. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips