NP109N04PUGManufacturer: NEC MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NP109N04PUG | NEC | 30000 | In Stock |
Description and Introduction
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET # Introduction to the NP109N04PUG MOSFET  
The **NP109N04PUG** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a low on-resistance (RDS(on)) and a robust voltage rating, this component is well-suited for power management in various electronic systems, including DC-DC converters, motor control circuits, and load switching.   Key features of the NP109N04PUG include a **40V drain-source voltage (VDSS)** rating and a **continuous drain current (ID)** capability of up to **100A**, making it ideal for high-current applications. Its **low gate charge (QG)** ensures fast switching performance, reducing power losses in high-frequency circuits. Additionally, the MOSFET is housed in a **TO-220 package**, providing efficient thermal dissipation and mechanical durability.   Engineers often select the NP109N04PUG for its balance of performance and reliability. Its optimized design minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer power supplies, this MOSFET offers a dependable solution for demanding power-switching tasks.   For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper integration into circuit designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips