NM27LV010V250

1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM The **NM27LV010V250** is a high-performance, low-voltage CMOS **1 Megabit (128K x 8) flash memory** component designed for applications requiring fast read operations and reliable non-volatile storage. Operating at a supply voltage of **2.5V**, it is optimized for power-sensitive systems while maintaining robust performance.  

With a **250ns access time**, the NM27LV010V250 ensures efficient data retrieval, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and consumer electronics. Its **byte-wide architecture** simplifies interfacing with microcontrollers and other digital logic circuits. The device supports **standard microprocessor read and write cycles**, enhancing compatibility with a wide range of systems.  

The flash memory features **sector erase and byte programming** capabilities, allowing flexible data management. Its **low standby current** minimizes power consumption in idle states, ideal for battery-powered applications. Additionally, the NM27LV010V250 includes **hardware and software data protection** mechanisms to prevent accidental writes or erasures, ensuring data integrity.  

Encased in a **32-pin PLCC or TSOP package**, the component offers a compact footprint for space-constrained designs. Its **industrial-grade temperature range** (-40°C to +85°C) ensures reliable operation in harsh environments.  

The NM27LV010V250 combines speed, efficiency, and durability, making it a dependable choice for modern electronic systems requiring non-volatile memory solutions.

1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM