524,288-bit (64K x 8) high performance CMOS EPROM, 90ns The **NM27C512Q-90** is a high-performance **EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)** integrated circuit designed for applications requiring reliable non-volatile data storage. With a capacity of **512 kilobits (64K x 8 bits)**, this component is widely used in embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications where firmware or configuration data must be retained without power.  

Operating at a **90-nanosecond access time**, the NM27C512Q-90 ensures efficient read operations, making it suitable for systems with demanding timing requirements. It features a **single 5V power supply**, simplifying integration into various digital circuits. The device supports **standard EPROM programming methods**, allowing data to be written using a UV eraser and reprogrammed as needed.  

Housed in a **32-pin ceramic DIP (Dual In-line Package)**, the NM27C512Q-90 offers durability and ease of handling. Its **wide operating temperature range** ensures stable performance in harsh environments. While newer flash memory technologies have largely replaced EPROMs in modern designs, this component remains relevant for maintenance, repairs, and specialized applications requiring proven reliability.  

Engineers and developers working with legacy systems will find the NM27C512Q-90 a dependable solution for non-volatile memory needs, combining robust performance with straightforward interfacing.

524,288-bit (64K x 8) high performance CMOS EPROM, 90ns

524,288-bit (64K x 8) high performance CMOS EPROM, 90ns The **NM27C512Q-90** is a high-performance **64K x 8-bit (512Kbit) UV-erasable programmable read-only memory (EPROM)** designed for applications requiring fast access times and reliable data storage. Operating at **90ns access speed**, this component is well-suited for embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications where non-volatile memory is essential.  

Featuring a **single 5V power supply**, the NM27C512Q-90 offers low power consumption while maintaining robust performance. Its **UV-erasable** capability allows for multiple reprogramming cycles, making it a flexible choice for prototyping and development. The device supports a **wide operating temperature range**, ensuring stability in various environmental conditions.  

With a **standard 28-pin DIP (Dual In-line Package)**, the NM27C512Q-90 is compatible with many existing circuit designs, facilitating easy integration. Its **TTL-compatible inputs and outputs** simplify interfacing with common logic circuits. Additionally, the chip includes a **chip enable (CE) and output enable (OE)** function for efficient power and bus management.  

As a reliable EPROM solution, the NM27C512Q-90 remains a practical choice for engineers working with legacy systems or applications requiring durable, reprogrammable memory. Its combination of speed, endurance, and compatibility makes it a valuable component in various electronic designs.

524,288-bit (64K x 8) high performance CMOS EPROM, 90ns