Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors The **NJW0281G** is a high-performance power transistor designed for use in audio amplification and power supply applications. Manufactured using advanced semiconductor technology, this NPN bipolar junction transistor (BJT) offers robust performance with a high collector-emitter voltage rating, making it suitable for demanding circuits.  

With a collector current capability of up to **15A** and a collector-emitter voltage (**V_CE**) of **250V**, the NJW0281G is well-suited for high-power audio amplifiers and switching regulators. Its low saturation voltage ensures efficient operation, minimizing power dissipation and heat generation. Additionally, the device features a high current gain (**h_FE**), enhancing its effectiveness in driver stages.  

The transistor is housed in a **TO-3P** package, providing excellent thermal conductivity and mechanical durability. This makes it ideal for applications requiring reliable heat dissipation, such as Class-AB amplifiers and linear power supplies.  

Engineers and designers favor the NJW0281G for its reliability, high power handling, and compatibility with complementary PNP transistors like the **NJW0302G**, enabling symmetrical push-pull configurations. Its robust construction and electrical characteristics make it a preferred choice for professional and industrial audio systems, ensuring stable performance under heavy loads.  

Overall, the NJW0281G stands out as a dependable component for high-power electronic designs.